| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| MMRF1019NR4 | NXP(恩智浦) | RF MOSFET Transistors Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1090 MHz, 10 W, 50 V | 下载 |
RF MOSFET Transistors Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1090 MHz, 10 W, 50 V
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Freescale |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) |
| 包装说明 | PLASTIC, PLD-1.5, 4 PIN |
| 针数 | 4 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高频带 | L BAND |
| JESD-30 代码 | R-PQSO-N4 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 端子数量 | 4 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | MATTE TIN |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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