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MMBZ5240BLT1

在7个相关元器件中,MMBZ5240BLT1有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
MMBZ5240BLT1 ON Semiconductor(安森美) Zener Diodes 10V 225mW 下载
MMBZ5240BLT1 LRC 10 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB 下载
MMBZ5240BLT1 Weitron Technology Zener Diode, 10V V(Z), 5%, 0.225W, Silicon, Unidirectional, PLASTIC PACKAGE-3 下载
MMBZ5240BLT1 NXP(恩智浦) ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,10V V(Z),5%,TO-236AB 下载
MMBZ5240BLT1 Bytesonic Corporation Zener Diode, 10V V(Z), 5%, 0.225W, Silicon, Unidirectional, PLASTIC PACKAGE-3 下载
MMBZ5240BLT1 Motorola ( NXP ) Zener Diode, 10V V(Z), 5%, 0.225W, Silicon, Unidirectional, TO-236AB, PLASTIC, CASE 318-07, 3 PIN 下载
MMBZ5240BLT1G ON Semiconductor(安森美) 精度:±5% 稳压值(典型值):10V 反向漏电流:3uA @ 8V 最大功率:225mW 10V 0.225W 下载
MMBZ5240BLT1的相关参数为:

器件描述

Zener Diode, 10V V(Z), 5%, 0.225W, Silicon, Unidirectional, TO-236AB, PLASTIC, CASE 318-07, 3 PIN

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
膝阻抗最大值600 Ω
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)240
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.225 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压10 V
最大反向电流3 µA
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
最大电压容差5%
工作测试电流20 mA
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