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MMBT3904WT1

在7个相关元器件中,MMBT3904WT1有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
MMBT3904WT1 ON Semiconductor(安森美) Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V NPN 下载
MMBT3904WT1 Motorola ( NXP ) 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 下载
MMBT3904WT1 WILLAS ELECTRONIC CORP. 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 下载
MMBT3904WT1 LRC general purpose transistors(npn and pnp silicon) 下载
MMBT3904WT1 Rochester Electronics 200mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 419-04, SC-70, 3 PIN 下载
MMBT3904WT1_11 ON Semiconductor(安森美) 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 下载
MMBT3904WT1G ON Semiconductor(安森美) 额定功率:150mW 集电极电流Ic:200mA 集射极击穿电压Vce:40V 晶体管类型:NPN NPN 下载
MMBT3904WT1的相关参数为:

器件描述

200mA, 40V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 419-04, SC-70, 3 PIN

参数
参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Rochester Electronics
零件包装代码SC-70
包装说明CASE 419-04, SC-70, 3 PIN
针数3
制造商包装代码CASE 419-04
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
湿度敏感等级NOT SPECIFIED
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型NPN
认证状态COMMERCIAL
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)300 MHz
最大关闭时间(toff)250 ns
最大开启时间(吨)70 ns
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