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MJE200STU

在3个相关元器件中,MJE200STU有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
MJE200STU ON Semiconductor(安森美) TRANS NPN 25V 5A TO-126 下载
MJE200STU Fairchild Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil 下载
MJE200STU_NL Fairchild Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, LEAD FREE PACKAGE-3 下载
MJE200STU的相关参数为:

器件描述

TRANS NPN 25V 5A TO-126

参数
参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
制造商包装代码340AS
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
最大集电极电流 (IC)5 A
集电极-发射极最大电压25 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
JEDEC-95代码TO-126
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)1.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)65 MHz
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