| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| MJE200STU | ON Semiconductor(安森美) | TRANS NPN 25V 5A TO-126 | 下载 |
| MJE200STU | Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil | 下载 |
| MJE200STU_NL | Fairchild | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, LEAD FREE PACKAGE-3 | 下载 |
TRANS NPN 25V 5A TO-126
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | ON Semiconductor |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
| 制造商包装代码 | 340AS |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week |
| 最大集电极电流 (IC) | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 25 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 10 |
| JEDEC-95代码 | TO-126 |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1.5 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 65 MHz |
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