| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| MJD31T4 | Motorola ( NXP ) | POWER TRANSISTOR | 下载 |
| MJD31T4 | ON Semiconductor(安森美) | Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 15W NPN | 下载 |
| MJD31T4 | Rochester Electronics | 3A, 40V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, CASE 369C, DPAK-3 | 下载 |
| MJD31T4G | ON Semiconductor(安森美) | 3.0 A, 40 V NPN Bipolar Power Transistor, DPAK (SINGLE GAUGE) TO-252, 2500-REEL | 下载 |
3A, 40V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, CASE 369C, DPAK-3
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 厂商名称 | Rochester Electronics |
| 包装说明 | PLASTIC, CASE 369C, DPAK-3 |
| 针数 | 3 |
| 制造商包装代码 | CASE 369C |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 40 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 10 |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 湿度敏感等级 | NOT SPECIFIED |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 240 |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 认证状态 | COMMERCIAL |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 3 MHz |
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