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MGSF1N03LT1-D

在4个相关元器件中,MGSF1N03LT1-D有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
MGSF1N03LT1 ON Semiconductor(安森美) MOSFET 30V 2.1A N-Channel 下载
MGSF1N03LT1 Motorola ( NXP ) 750mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB 下载
MGSF1N03LT1G - 1600 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236 下载
MGSF1N03LT1G ON Semiconductor(安森美) 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.6A 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 1.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):420mW 类型:N沟道 N沟道 30V 2.1A 下载
MGSF1N03LT1-D的相关参数为:

器件描述

750mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB

参数
参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.75 A
最大漏极电流 (ID)0.75 A
最大漏源导通电阻0.1 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.225 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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