器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
MGSF1N03LT1 | ON Semiconductor(安森美) | MOSFET 30V 2.1A N-Channel | 下载 |
MGSF1N03LT1 | Motorola ( NXP ) | 750mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB | 下载 |
MGSF1N03LT1G | - | 1600 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236 | 下载 |
MGSF1N03LT1G | ON Semiconductor(安森美) | 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):1.6A 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 1.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):420mW 类型:N沟道 N沟道 30V 2.1A | 下载 |
750mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Motorola ( NXP ) |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code | unknown |
Is Samacsys | N |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.75 A |
最大漏极电流 (ID) | 0.75 A |
最大漏源导通电阻 | 0.1 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-236AB |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 0.225 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved