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MBR130LSFT1

在5个相关元器件中,MBR130LSFT1有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
MBR130LSFT1 ON Semiconductor(安森美) Schottky Diodes & Rectifiers 1A 30V 下载
MBR130LSFT1_0507 ON Semiconductor(安森美) 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE 下载
MBR130LSFT1G ADI(亚德诺半导体) 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE 下载
MBR130LSFT1G ON Semiconductor(安森美) 直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):380mV @ 1A 30V,1A 下载
MBR130LSFT1G Rochester Electronics 1A, 30V, SILICON, SIGNAL DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 498-01, 2 PIN 下载
MBR130LSFT1的相关参数为:

器件描述

Schottky Diodes & Rectifiers 1A 30V

参数
参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅不含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
包装说明PLASTIC, CASE 498-01, 2 PIN
针数2
制造商包装代码498-01
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性FREE WHEELING DIODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.18 V
JESD-30 代码R-PDSO-F2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流40 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压30 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
Base Number Matches1
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