| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| M29W160EB70N6E | ST(意法半导体) | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 | 下载 |
| M29W160EB70N6E | Numonyx ( Micron ) | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 | 下载 |
| M29W160EB70N6E | Micron Technology | IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP | 下载 |
| M29W160EB70N6E | Micron(美光) | IC flash 16mbit 70ns 48tsop | 下载 |
IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Micron Technology |
| 零件包装代码 | TSOP |
| 包装说明 | TSSOP, TSSOP48,.8,20 |
| 针数 | 48 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 70 ns |
| 其他特性 | BOTTOM BOOT BLOCK |
| 备用内存宽度 | 8 |
| 启动块 | BOTTOM |
| 命令用户界面 | YES |
| 通用闪存接口 | YES |
| 数据轮询 | YES |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G48 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 18.4 mm |
| 内存密度 | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 部门数/规模 | 1,2,1,31 |
| 端子数量 | 48 |
| 字数 | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 1MX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP |
| 封装等效代码 | TSSOP48,.8,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
| 电源 | 3/3.3 V |
| 编程电压 | 3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 就绪/忙碌 | YES |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 部门规模 | 16K,8K,32K,64K |
| 最大待机电流 | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.02 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 切换位 | YES |
| 类型 | NOR TYPE |
| 宽度 | 12 mm |
| Base Number Matches | 1 |
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