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M29F200FB55N3E2

在3个相关元器件中,M29F200FB55N3E2有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
M29F200FB55N3E2 Micron(美光) IC flash 2mbit 55ns 48tsop 下载
M29F200FB55N3E2 Micron Technology IC FLASH 2M PARALLEL 48TSOP 下载
M29F200FB55N3E2 Numonyx ( Micron ) Flash, 128KX16, 55ns, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP1-48 下载
M29F200FB55N3E2的相关参数为:

器件描述

Flash, 128KX16, 55ns, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP1-48

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Numonyx ( Micron )
零件包装代码TSOP1
包装说明TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数48
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间55 ns
其他特性BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度8
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
通用闪存接口YES
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PDSO-G48
长度18.4 mm
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模1,2,1,3
端子数量48
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP48,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
筛选级别AEC-Q100
座面最大高度1.2 mm
部门规模16K,8K,32K,64K
最大待机电流0.00012 A
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度12 mm
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