| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| LMV641MGE | National Semiconductor(TI ) | 10 MHz, 12V, Low Power Amplifier | 下载 |
| LMV641MGE | Texas Instruments(德州仪器) | IC OP-AMP, 750 uV OFFSET-MAX, 10 MHz BAND WIDTH, PDSO5, SC-70, 5 PIN, Operational Amplifier | 下载 |
| LMV641MGE-NOPB | Texas Instruments(德州仪器) | Operational Amplifiers - Op Amps 10 MHZ, 12V, LOW POWER AMPLIFIER | 下载 |
| LMV641MGE/NOPB | Texas Instruments(德州仪器) | 增益带宽积(GBP):10MHz 放大器组数:1 运放类型:General Purpose 各通道功耗:158uA 压摆率(SR):2.6 V/us 电源电压:2.7V ~ 12V, ±1.35V ~ 6V 10MHz、12V、低功耗放大器 | 下载 |
IC OP-AMP, 750 uV OFFSET-MAX, 10 MHz BAND WIDTH, PDSO5, SC-70, 5 PIN, Operational Amplifier
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | TSSOP, |
| 针数 | 5 |
| Reach Compliance Code | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Samacsys Descripti | TEXAS INSTRUMENTS - LMV641MGE - OP AMP, LP, 12V, 10MHZ, POWERWISE |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.105 µA |
| 标称共模抑制比 | 120 dB |
| 最大输入失调电压 | 750 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G5 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 2 mm |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 5 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 座面最大高度 | 1.1 mm |
| 标称压摆率 | 2.6 V/us |
| 供电电压上限 | 13.2 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 10 V |
| 表面贴装 | YES |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 标称均一增益带宽 | 10000 kHz |
| 宽度 | 1.25 mm |
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