电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

LMV641MGE

在4个相关元器件中,LMV641MGE有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
LMV641MGE National Semiconductor(TI ) 10 MHz, 12V, Low Power Amplifier 下载
LMV641MGE Texas Instruments(德州仪器) IC OP-AMP, 750 uV OFFSET-MAX, 10 MHz BAND WIDTH, PDSO5, SC-70, 5 PIN, Operational Amplifier 下载
LMV641MGE-NOPB Texas Instruments(德州仪器) Operational Amplifiers - Op Amps 10 MHZ, 12V, LOW POWER AMPLIFIER 下载
LMV641MGE/NOPB Texas Instruments(德州仪器) 增益带宽积(GBP):10MHz 放大器组数:1 运放类型:General Purpose 各通道功耗:158uA 压摆率(SR):2.6 V/us 电源电压:2.7V ~ 12V, ±1.35V ~ 6V 10MHz、12V、低功耗放大器 下载
LMV641MGE的相关参数为:

器件描述

IC OP-AMP, 750 uV OFFSET-MAX, 10 MHz BAND WIDTH, PDSO5, SC-70, 5 PIN, Operational Amplifier

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码SOIC
包装说明TSSOP,
针数5
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
Samacsys DescriptiTEXAS INSTRUMENTS - LMV641MGE - OP AMP, LP, 12V, 10MHZ, POWERWISE
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)0.105 µA
标称共模抑制比120 dB
最大输入失调电压750 µV
JESD-30 代码R-PDSO-G5
JESD-609代码e0
长度2 mm
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量5
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
座面最大高度1.1 mm
标称压摆率2.6 V/us
供电电压上限13.2 V
标称供电电压 (Vsup)10 V
表面贴装YES
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
标称均一增益带宽10000 kHz
宽度1.25 mm
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   1B 8O 92 H9 IL JC LI OA R1 RF RW S6 Si TT VN

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved