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LM124DR

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器件名 厂商 描 述 功能
LM124DR Texas Instruments(德州仪器) 增益带宽积(GBP):1.2MHz 放大器组数:4 运放类型:General Purpose 各通道功耗:1.4mA 压摆率(SR):0.5 V/us 电源电压:3V ~ 32V, ±1.5V ~ 16V 四运算放大器 下载
LM124DR National Semiconductor(TI ) QUAD OP-AMP, 7000 uV OFFSET-MAX, 1.2 MHz BAND WIDTH, PDSO14 下载
LM124DRG4 Texas Instruments(德州仪器) Quadruple operational amplifier with -55C to 125C operation 14-SOIC -55 to 125 下载
LM124DR的相关参数为:

器件描述

增益带宽积(GBP):1.2MHz 放大器组数:4 运放类型:General Purpose 各通道功耗:1.4mA 压摆率(SR):0.5 V/us 电源电压:3V ~ 32V, ±1.5V ~ 16V 四运算放大器

参数
参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码SOIC
包装说明SOIC-14
针数14
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time6 weeks
Is SamacsysN
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.3 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.15 µA
最小共模抑制比70 dB
标称共模抑制比80 dB
频率补偿YES
最大输入失调电流 (IIO)0.1 µA
最大输入失调电压7000 µV
JESD-30 代码R-PDSO-G14
JESD-609代码e4
长度8.65 mm
低-偏置NO
低-失调NO
微功率YES
湿度敏感等级1
功能数量4
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP14,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
包装方法TR
峰值回流温度(摄氏度)260
功率NO
电源+-1.5/+-16/3/32 V
可编程功率NO
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
标称压摆率0.5 V/us
最大压摆率3 mA
供电电压上限32 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术BIPOLAR
温度等级MILITARY
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽1200 kHz
最小电压增益25000
宽带NO
宽度3.9 mm
Base Number Matches1
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