| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| LF353DR | Texas Instruments(德州仪器) | 增益带宽积(GBP):3MHz 放大器组数:2 运放类型:J-FET 各通道功耗:3.6mA 压摆率(SR):13 V/us 电源电压:±3.5V ~ 18V 双JFET输入运算放大器 | 下载 |
| LF353DR2 | ON Semiconductor(安森美) | DUAL OP-AMP, 13000uV OFFSET-MAX, 4MHz BAND WIDTH, PDSO8, PLASTIC, SO-8 | 下载 |
| LF353DR2 | Motorola ( NXP ) | DUAL OP-AMP, 13000uV OFFSET-MAX, 4MHz BAND WIDTH, PDSO8, PLASTIC, SO-8 | 下载 |
| LF353DRE4 | Texas Instruments(德州仪器) | Dual General-Purpose JFET-input Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70 | 下载 |
| LF353DRG4 | Texas Instruments(德州仪器) | Dual General-Purpose JFET-input Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70 | 下载 |
| 对应元器件 | pdf文档资料下载 |
|---|---|
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| 型号 | LF353DRG4 | LF353DRE4 |
|---|---|---|
| 描述 | Dual General-Purpose JFET-input Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70 | Dual General-Purpose JFET-input Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70 |
| Brand Name | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | SOIC | SOIC |
| 包装说明 | SOP, SOP8,.25 | SOP, SOP8,.25 |
| 针数 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | compli | compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0002 µA | 0.0002 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.0002 µA | 0.0002 µA |
| 最小共模抑制比 | 70 dB | 70 dB |
| 标称共模抑制比 | 100 dB | 100 dB |
| 频率补偿 | YES | YES |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 0.004 µA | 0.004 µA |
| 最大输入失调电压 | 13000 µV | 10000 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e4 | e4 |
| 长度 | 4.9 mm | 4.9 mm |
| 低-偏置 | YES | YES |
| 低-失调 | NO | NO |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 负供电电压上限 | -18 V | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V |
| 功能数量 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 8 | 8 |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 包装方法 | TAPE AND REEL | TR |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 |
| 电源 | +-15 V | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.75 mm | 1.75 mm |
| 最小摆率 | 8 V/us | 8 V/us |
| 标称压摆率 | 13 V/us | 13 V/us |
| 最大压摆率 | 6.5 mA | 3.25 mA |
| 供电电压上限 | 18 V | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | JFET | JFET |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 3000 kHz | 3000 kHz |
| 最小电压增益 | 15000 | 15000 |
| 宽度 | 3.9 mm | 3.91 mm |
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