器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
LBAS40LT1G | LRC | 直流反向耐压(Vr):40V 平均整流电流(Io):120mA 正向压降(Vf):400mV @ 1mA 40V,0.12A,VF=0.4V@1mA | 下载 |
LBAS40LT1G | Leiditech | Schottky BARRIER DIODE | 下载 |
LBAS40LT1G_11 | LRC | SCHOTTKY BARRIER DIODE Low forward current | 下载 |
LBAS40LT1G_15 | LRC | SCHOTTKY BARRIER DIODE | 下载 |
直流反向耐压(Vr):40V 平均整流电流(Io):120mA 正向压降(Vf):400mV @ 1mA 40V,0.12A,VF=0.4V@1mA
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | LRC |
包装说明 | R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 0.38 V |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
最大非重复峰值正向电流 | 0.6 A |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
最大输出电流 | 0.12 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
最大重复峰值反向电压 | 40 V |
表面贴装 | YES |
技术 | SCHOTTKY |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved