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LBAS40LT1G

在4个相关元器件中,LBAS40LT1G有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
LBAS40LT1G LRC 直流反向耐压(Vr):40V 平均整流电流(Io):120mA 正向压降(Vf):400mV @ 1mA 40V,0.12A,VF=0.4V@1mA 下载
LBAS40LT1G Leiditech Schottky BARRIER DIODE 下载
LBAS40LT1G_11 LRC SCHOTTKY BARRIER DIODE Low forward current 下载
LBAS40LT1G_15 LRC SCHOTTKY BARRIER DIODE 下载
LBAS40LT1G的相关参数为:

器件描述

直流反向耐压(Vr):40V 平均整流电流(Io):120mA 正向压降(Vf):400mV @ 1mA 40V,0.12A,VF=0.4V@1mA

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称LRC
包装说明R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.38 V
JESD-30 代码R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流0.6 A
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.12 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压40 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
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