IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
| 参数名称 | 属性值 |
| 驱动配置 | 半桥 |
| 通道类型 | 独立式 |
| 驱动器数 | 2 |
| 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
| 电压 - 电源 | 10 V ~ 20 V |
| 逻辑电压 - VIL,VIH | 1.1V,1.9V |
| 电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 290mA,430mA |
| 输入类型 | 非反相 |
| 高压侧电压 - 最大值(自举) | 600V |
| 上升/下降时间(典型值) | 75ns,35ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
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