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L2N7002KN3T5G

在2个相关元器件中,L2N7002KN3T5G有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
L2N7002KN3T5G LRC 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):320mA 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.8Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):250mW 类型:N沟道 下载
L2N7002KN3T5G_15 LRC Small Signal MOSFET 下载
L2N7002KN3T5G的相关参数为:

器件描述

漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):320mA 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.8Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):250mW 类型:N沟道

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称LRC
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)0.32 A
最大漏源导通电阻1.8 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PBCC-N3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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