器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
L2N7002KN3T5G | LRC | 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):320mA 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.8Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):250mW 类型:N沟道 | 下载 |
L2N7002KN3T5G_15 | LRC | Small Signal MOSFET | 下载 |
漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):320mA 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.8Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):250mW 类型:N沟道
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | LRC |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 60 V |
最大漏极电流 (ID) | 0.32 A |
最大漏源导通电阻 | 1.8 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PBCC-N3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
表面贴装 | YES |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
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