| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| KSD288O | Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil | 下载 |
| KSD288O | ON Semiconductor(安森美) | TRANS NPN 55V 3A TO-220 | 下载 |
| KSD288-O | SAMSUNG(三星) | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN | 下载 |
| KSD288OJ69Z | Fairchild | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN | 下载 |
| KSD288OTU | ON Semiconductor(安森美) | TRANS NPN 55V 3A TO-220 | 下载 |
| KSD288OTU | Fairchild | transistor npn 55v 3A TO-220 | 下载 |
| 对应元器件 | pdf文档资料下载 |
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| KSD288O 、 KSD288OTU 、 KSD288OTU | 下载文档 |
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| 型号 | KSD288OTU | KSD288O | KSD288OTU |
|---|---|---|---|
| 描述 | transistor npn 55v 3A TO-220 | TRANS NPN 55V 3A TO-220 | TRANS NPN 55V 3A TO-220 |
| 晶体管类型 | - | NPN | NPN |
| 电流 - 集电极(Ic)(最大值) | - | 3A | 3A |
| 电压 - 集射极击穿(最大值) | - | 55V | 55V |
| 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) | - | 1V @ 100mA,1A | 1V @ 100mA,1A |
| 电流 - 集电极截止(最大值) | - | 50µA(ICBO) | 50µA(ICBO) |
| 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) | - | 70 @ 500mA,5V | 70 @ 500mA,5V |
| 功率 - 最大值 | - | 25W | 25W |
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) | 150°C(TJ) |
| 安装类型 | - | 通孔 | 通孔 |
| 封装/外壳 | - | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | - | TO-220-3 | TO-220-3 |
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