| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| IXXH50N60B3 | IXYS ( Littelfuse ) | IGBT Transistors GenX3 600V XPT IGBTs | 下载 |
| IXXH50N60B3 | IXYS | Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3 PIN | 下载 |
| IXXH50N60B3 | Littelfuse | Insulated Gate Bipolar Transistor, | 下载 |
| IXXH50N60B3D1 | IXYS ( Littelfuse ) | igbt transistors xpt 600v igbt genx3 xpt igbt | 下载 |
| IXXH50N60B3D1 | IXYS | IGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT | 下载 |
| IXXH50N60B3D1 | Littelfuse | Insulated Gate Bipolar Transistor, | 下载 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | IXYS |
| 零件包装代码 | TO-247AD |
| 包装说明 | TO-247, 3 PIN |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compli |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 120 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 600 V |
| 配置 | SINGLE |
| 门极发射器阈值电压最大值 | 5.5 V |
| 门极-发射极最大电压 | 20 V |
| JEDEC-95代码 | TO-247AD |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 600 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管应用 | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 320 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 75 ns |
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