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IXTT1N100

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器件名 厂商 描 述 功能
IXTT1N100 IXYS ( Littelfuse ) MOSFET 1 Amps 1000V 下载
IXTT1N100 IXYS Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-268AA, TO-268, 3 PIN 下载
IXTT1N100 Littelfuse Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-268AA, TO-268, 3 PIN 下载
IXTT1N100的相关参数为:

器件描述

Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-268AA, TO-268, 3 PIN

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Littelfuse
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codenot_compliant
雪崩能效等级(Eas)200 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)1.5 A
最大漏极电流 (ID)1.5 A
最大漏源导通电阻11 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-268AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)6 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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