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IXGP2N100A

在3个相关元器件中,IXGP2N100A有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
IXGP2N100A IXYS ( Littelfuse ) IGBT Transistors 4 Amps 1000V 3.5 Rds 下载
IXGP2N100A IXYS Insulated Gate Bipolar Transistor, 4A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN 下载
IXGP2N100A Littelfuse Insulated Gate Bipolar Transistor, 4A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN 下载
IXGP2N100A的相关参数为:

器件描述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 4A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Littelfuse
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)4 A
集电极-发射极最大电压1000 V
配置SINGLE
门极发射器阈值电压最大值8 V
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)100 ns
标称接通时间 (ton)100 ns
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