| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| IXFR140N20P | IXYS ( Littelfuse ) | 90 A, 200 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 下载 |
| IXFR140N20P | Littelfuse | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 200V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOPLUS247, 3 PIN | 下载 |
| IXFR140N20P | IXYS | MOSFET 75 Amps 200V 0.018 Rds | 下载 |
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 200V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOPLUS247, 3 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Littelfuse |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| Is Samacsys | N |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED |
| 雪崩能效等级(Eas) | 4000 mJ |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 90 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.022 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码 | e1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 280 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
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