| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| IXFB120N50P2 | IXYS ( Littelfuse ) | 120 A, 500 V, 0.043 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 下载 |
| IXFB120N50P2 | Littelfuse | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 500V, 0.043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, PLUS264, 3 PIN | 下载 |
| IXFB120N50P2 | IXYS | MOSFET PolarP2 Power MOSFET | 下载 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 500V, 0.043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, PLUS264, 3 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Littelfuse |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| Is Samacsys | N |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级(Eas) | 4000 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 120 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 120 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.043 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1890 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 300 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved