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IXDD614SI

eeworld网站中关于IXDD614SI有8个元器件。有IXDD614SI、IXDD614SI等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
IXDD614SI CLARE BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDSO8 下载
IXDD614SI IXYS ( Littelfuse ) gate drivers 14-ampere low-side ultrafast mosfet 下载
IXDD614SI IXYS Gate Drivers 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET 下载
IXDD614SI Littelfuse Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, PDSO8, SOIC-8 下载
IXDD614SITR CLARE BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDSO8 下载
IXDD614SITR IXYS ( Littelfuse ) gate drivers 14-ampere low-side ultrafast mosfet 下载
IXDD614SITR IXYS Gate Drivers 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET 下载
IXDD614SITR Littelfuse Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, PDSO8, SOIC-8 下载
关于IXDD614SI相关文档资料:
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IXDD614SI资料比对:
型号 IXDD614SITR IXDD614SI
描述 Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, PDSO8, SOIC-8 Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, PDSO8, SOIC-8
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Littelfuse Littelfuse
包装说明 HSOP, SOP8,.24 HSOP, SOP8,.24
Reach Compliance Code compliant compliant
高边驱动器 NO NO
接口集成电路类型 BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
长度 4.9 mm 4.9 mm
湿度敏感等级 1 1
功能数量 1 1
端子数量 8 8
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
输出特性 3-STATE 3-STATE
输出极性 INVERTED INVERTED
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 HSOP HSOP
封装等效代码 SOP8,.24 SOP8,.24
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm 1.75 mm
最大压摆率 3 mA 3 mA
最大供电电压 35 V 35 V
最小供电电压 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 18 V 18 V
表面贴装 YES YES
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子形式 GULL WING GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
断开时间 0.075 µs 0.075 µs
接通时间 0.075 µs 0.075 µs
宽度 3.9 mm 3.9 mm
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