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IS43TR16640BL-125JBL

eeworld网站中关于IS43TR16640BL-125JBL有6个元器件。有IS43TR16640BL-125JBL、IS43TR16640BL-125JBL等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
IS43TR16640BL-125JBL ISSI(芯成半导体) DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 下载
IS43TR16640BL-125JBL Integrated Silicon Solution ( ISSI ) DDR DRAM, 64MX16, CMOS, PBGA96, BGA-96 下载
IS43TR16640BL-125JBLI ISSI(芯成半导体) EEPROM 1024K 128K X 8 2.5V 下载
IS43TR16640BL-125JBLI Integrated Silicon Solution ( ISSI ) DDR DRAM, 64MX16, CMOS, PBGA96, BGA-96 下载
IS43TR16640BL-125JBLI-TR ISSI(芯成半导体) DRAM 1G, 1.35V, DDR3L, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R 下载
IS43TR16640BL-125JBL-TR ISSI(芯成半导体) —— 下载
关于IS43TR16640BL-125JBL相关文档资料:
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IS43TR16640BL-125JBL资料比对:
型号 IS43TR16640BL-125JBL IS43TR16640BL-125JBLI
描述 DDR DRAM, 64MX16, CMOS, PBGA96, BGA-96 DDR DRAM, 64MX16, CMOS, PBGA96, BGA-96
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明 TFBGA, TFBGA,
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 6 weeks 6 weeks
访问模式 MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-PBGA-B96 R-PBGA-B96
JESD-609代码 e1 e1
长度 13 mm 13 mm
内存密度 1073741824 bit 1073741824 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 16 16
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 96 96
字数 67108864 words 67108864 words
字数代码 64000000 64000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
组织 64MX16 64MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TFBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES
最大供电电压 (Vsup) 1.575 V 1.45 V
最小供电电压 (Vsup) 1.425 V 1.283 V
标称供电电压 (Vsup) 1.5 V 1.35 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式 BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 9 mm 9 mm
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