型号 |
IS43TR16640BL-125JBL |
IS43TR16640BL-125JBLI |
描述 |
DDR DRAM, 64MX16, CMOS, PBGA96, BGA-96 |
DDR DRAM, 64MX16, CMOS, PBGA96, BGA-96 |
是否Rohs认证 |
符合 |
符合 |
厂商名称 |
Integrated Silicon Solution ( ISSI ) |
Integrated Silicon Solution ( ISSI ) |
包装说明 |
TFBGA, |
TFBGA, |
Reach Compliance Code |
compliant |
compliant |
ECCN代码 |
EAR99 |
EAR99 |
Factory Lead Time |
6 weeks |
6 weeks |
访问模式 |
MULTI BANK PAGE BURST |
MULTI BANK PAGE BURST |
其他特性 |
AUTO/SELF REFRESH |
AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码 |
R-PBGA-B96 |
R-PBGA-B96 |
JESD-609代码 |
e1 |
e1 |
长度 |
13 mm |
13 mm |
内存密度 |
1073741824 bit |
1073741824 bit |
内存集成电路类型 |
DDR DRAM |
DDR DRAM |
内存宽度 |
16 |
16 |
功能数量 |
1 |
1 |
端口数量 |
1 |
1 |
端子数量 |
96 |
96 |
字数 |
67108864 words |
67108864 words |
字数代码 |
64000000 |
64000000 |
工作模式 |
SYNCHRONOUS |
SYNCHRONOUS |
组织 |
64MX16 |
64MX16 |
封装主体材料 |
PLASTIC/EPOXY |
PLASTIC/EPOXY |
封装代码 |
TFBGA |
TFBGA |
封装形状 |
RECTANGULAR |
RECTANGULAR |
封装形式 |
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度) |
NOT SPECIFIED |
NOT SPECIFIED |
座面最大高度 |
1.2 mm |
1.2 mm |
自我刷新 |
YES |
YES |
最大供电电压 (Vsup) |
1.575 V |
1.45 V |
最小供电电压 (Vsup) |
1.425 V |
1.283 V |
标称供电电压 (Vsup) |
1.5 V |
1.35 V |
表面贴装 |
YES |
YES |
技术 |
CMOS |
CMOS |
端子面层 |
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式 |
BALL |
BALL |
端子节距 |
0.8 mm |
0.8 mm |
端子位置 |
BOTTOM |
BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 |
NOT SPECIFIED |
NOT SPECIFIED |
宽度 |
9 mm |
9 mm |