| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| IS43LD32640B-18BPL-TR | ISSI(芯成半导体) | DRAM LPDDR2 2Gb 533MHz 32Mx32 | 下载 |
| IS43LD32640B-18BPL-TR | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) | DDR DRAM, | 下载 |
DDR DRAM,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) |
| 包装说明 | VFBGA, |
| Reach Compliance Code | compliant |
| Factory Lead Time | 12 weeks |
| 访问模式 | MULTI BANK PAGE BURST |
| 其他特性 | SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM |
| JESD-30 代码 | S-PBGA-B168 |
| 长度 | 12 mm |
| 内存密度 | 2147483648 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM |
| 内存宽度 | 32 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 168 |
| 字数 | 67108864 words |
| 字数代码 | 64000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 64MX32 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | VFBGA |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 座面最大高度 | 0.95 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.3 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.14 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.2 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 12 mm |
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