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IS25LP016D-JULA3-TR

在3个相关元器件中,IS25LP016D-JULA3-TR有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
IS25LP016D-JULA3 Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Flash, 2MX8, PDSO8, USON-8 下载
IS25LP016D-JULA3 ISSI(芯成半导体) SERIAL FLASH MEMORY WITH 133MHZ MULTI I/O SPI & QUAD I/O QPI DTR INTERFACE 下载
IS25LP016D-JULA3:P ISSI(芯成半导体) SERIAL FLASH MEMORY WITH 133MHZ MULTI I/O SPI & QUAD I/O QPI DTR INTERFACE 下载
IS25LP016D-JULA3-TR的相关参数为:

器件描述

Flash, 2MX8, PDSO8, USON-8

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明HVSON, SOLCC8,.12,20
Reach Compliance Codecompliant
备用内存宽度1
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
数据保留时间-最小值20
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-N8
JESD-609代码e3
长度3 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
组织2MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码HVSON
封装等效代码SOLCC8,.12,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
编程电压3 V
筛选级别AEC-Q100
座面最大高度0.6 mm
串行总线类型SPI
最大待机电流0.00003 A
最大压摆率0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Tin (Sn)
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
类型NOR TYPE
宽度2 mm
写保护HARDWARE/SOFTWARE
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