器件名 |
厂商 |
描 述 |
功能 |
IRLML6344GTRPBF |
台湾微碧(VBsemi) |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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IRLML6344PBF |
International Rectifier ( Infineon ) |
HEXFETPower MOSFET |
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IRLML6344PBF_15 |
International Rectifier ( Infineon ) |
Industry-standard SOT-23 Package |
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IRLML6344TRPBF |
International Rectifier ( Infineon ) |
mosfet mosft 5.0A 29mohm 30v 2.5V drv capable |
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IRLML6344TRPBF |
Infineon(英飞凌) |
漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 栅源极阈值电压:1.1V @ 10uA 漏源导通电阻:29mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.3W 类型:N沟道 N沟道,30V,5A,29mΩ@4.5V |
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IRLML6344TRPBF |
台湾微碧(VBsemi) |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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