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IRG4BC30U-SPBF

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器件名 厂商 描 述 功能
IRG4BC30U-SPBF International Rectifier ( Infineon ) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 下载
IRG4BC30U-SPBF Infineon(英飞凌) IGBT Transistors 600V ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT 下载
IRG4BC30U-SPBF的相关参数为:

器件描述

IGBT Transistors 600V ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT

参数
参数名称属性值
产品种类
Product Category
IGBT Transistors
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌)
RoHSDetails
技术
Technology
Si
封装 / 箱体
Package / Case
D-PAK-3
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
ConfigurationSingle
Collector- Emitter Voltage VCEO Max600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage1.95 V
Maximum Gate Emitter Voltage+/- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C23 A
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
100 W
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
系列
Packaging
Tube
Continuous Collector Current Ic Max23 A
高度
Height
4.83 mm
长度
Length
10.67 mm
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
50
宽度
Width
9.65 mm
单位重量
Unit Weight
0.009185 oz
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