电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

IRFU210

eeworld网站中关于IRFU210有14个元器件。有IRFU210、IRFU210等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
IRFU210 Vishay(威世) MOSFET N-Chan 200V 2.6 Amp 下载
IRFU210 International Rectifier ( Infineon ) Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=2.6A) 下载
IRFU210 Kersemi Electronic 2.6 A, 200 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 下载
IRFU210 SAMSUNG(三星) Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3 下载
IRFU210A SAMSUNG(三星) Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3 下载
IRFU210A Fairchild Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3 下载
IRFU210B Fairchild 200V N-Channel MOSFET 下载
IRFU210BTLTU_FP001 Fairchild Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, IPAK-3 下载
IRFU210BTLTU_FP001 ON Semiconductor(安森美) MOSFET 200V N-Ch B-FET 下载
IRFU210BTU Fairchild Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 下载
IRFU210BTU_FP001 Fairchild Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET 下载
IRFU210PBF International Rectifier ( Infineon ) 2.6 A, 200 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA 下载
IRFU210PBF Vishay(威世) 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.6A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.5Ω @ 1.6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 下载
IRFU210PBF Kersemi Electronic 2.6 A, 200 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA 下载
关于IRFU210相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
IRFU210 、 IRFU210PBF 下载文档
IRFU210BTU 下载文档
IRFU210BTLTU_FP001 下载文档
IRFU210BTU_FP001 下载文档
IRFU210PBF 下载文档
IRFU210PBF 下载文档
IRFU210BTLTU_FP001 下载文档
IRFU210B 下载文档
IRFU210 下载文档
IRFU210 下载文档
IRFU210资料比对:
型号 IRFU210PBF IRFU210
描述 2.6 A, 200 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA 2.6 A, 200 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
端子数量 3 2
最小击穿电压 200 V 200 V
加工封装描述 ROHS COMPLIANT, IPAK-3 ROHS COMPLIANT, DPAK-3
无铅 Yes Yes
欧盟RoHS规范 Yes Yes
状态 ACTIVE ACTIVE
包装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
包装尺寸 IN-LINE SMALL OUTLINE
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING
端子涂层 NOT SPECIFIED MATTE TIN
端子位置 SINGLE SINGLE
包装材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
结构 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
壳体连接 DRAIN DRAIN
元件数量 1 1
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
通道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
场效应晶体管技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
操作模式 ENHANCEMENT ENHANCEMENT
晶体管类型 GENERAL PURPOSE POWER GENERAL PURPOSE POWER
最大漏电流 2.6 A 2.6 A
额定雪崩能量 130 mJ 130 mJ
最大漏极导通电阻 1.5 ohm 1.5 ohm
最大漏电流脉冲 10 A 10 A
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   24 5T 7G E9 EB F5 I4 II J7 KB PG Q7 UL WW ZE

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved