器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
IRFU110PBF | Kersemi Electronic | 4.3 A, 100 V, 0.54 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA | 下载 |
IRFU110PBF | 台湾微碧(VBsemi) | N-Channel 100-V (D-S) MOSFET | 下载 |
IRFU110PBF | Vishay(威世) | 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.3A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:540mΩ @ 900mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W(Tc) 类型:N沟道 | 下载 |
IRFU110PBF | International Rectifier ( Infineon ) | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, LEAD FREE, IPAK-3 | 下载 |
漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.3A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:540mΩ @ 900mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W(Tc) 类型:N沟道
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Vishay(威世) |
零件包装代码 | TO-251 |
包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
Is Samacsys | N |
其他特性 | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas) | 75 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 4.3 A |
最大漏极电流 (ID) | 4.3 A |
最大漏源导通电阻 | 0.54 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-251 |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码 | e3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 25 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 17 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
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