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IRFU110PBF

在4个相关元器件中,IRFU110PBF有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
IRFU110PBF Kersemi Electronic 4.3 A, 100 V, 0.54 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA 下载
IRFU110PBF 台湾微碧(VBsemi) N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 下载
IRFU110PBF Vishay(威世) 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.3A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:540mΩ @ 900mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W(Tc) 类型:N沟道 下载
IRFU110PBF International Rectifier ( Infineon ) Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, LEAD FREE, IPAK-3 下载
IRFU110PBF的相关参数为:

器件描述

漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.3A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:540mΩ @ 900mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):25W(Tc) 类型:N沟道

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码TO-251
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)75 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)4.3 A
最大漏极电流 (ID)4.3 A
最大漏源导通电阻0.54 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-251
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)17 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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