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IRFP244

eeworld网站中关于IRFP244有18个元器件。有IRFP244、IRFP244等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
IRFP244 Intersil ( Renesas ) 15A and 14A, 275V and 250V, 0.28 and 0.34 Ohm, N-Channel Power MOSFETs 下载
IRFP244 Rochester Electronics 15A, 250V, 0.28ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 下载
IRFP244 Fairchild Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN 下载
IRFP244 Harris Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 下载
IRFP244 SAMSUNG(三星) Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN 下载
IRFP244 Renesas(瑞萨电子) 15A, 250V, 0.28ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 下载
IRFP244 International Rectifier ( Infineon ) Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.28ohm, Id=15A) 下载
IRFP244 Vishay(威世) MOSFET N-Chan 250V 15 Amp 下载
IRFP244 ISC isc N-Channel MOSFET Transistor 下载
IRFP244A SAMSUNG(三星) Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN 下载
IRFP244A ISC isc N-Channel MOSFET Transistor 下载
IRFP244B Fairchild 250V N-Channel MOSFET 下载
IRFP244B_FP001 Fairchild Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET 下载
IRFP244PBF International Rectifier ( Infineon ) 15 A, 250 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 下载
IRFP244PBF IR 漏源电压(Vdss):250V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:280mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W 类型:N沟道 N沟道,250V,15A,280mΩ@10V 下载
IRFP244PBF Vishay(威世) MOSFET N-Chan 250V 15 Amp 下载
IRFP244_V01 Vishay(威世) Power MOSFET 下载
IRFP244_V02 Vishay(威世) Power MOSFET 下载
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IRFP244A 下载文档
IRFP244B 下载文档
IRFP244B_FP001 下载文档
IRFP244PBF 下载文档
IRFP244PBF 下载文档
IRFP244 下载文档
IRFP244 下载文档
IRFP244 下载文档
IRFP244 下载文档
IRFP244资料比对:
型号 IRFP244 IRFP244PBF
描述 MOSFET N-Chan 250V 15 Amp MOSFET N-Chan 250V 15 Amp
是否无铅 含铅 不含铅
是否Rohs认证 不符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 550 mJ 550 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 250 V 250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 15 A 15 A
最大漏极电流 (ID) 15 A 15 A
最大漏源导通电阻 0.28 Ω 0.28 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-247AC TO-247AC
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0 e3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 150 W 150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 60 A 60 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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