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IRFI4229PBF

在3个相关元器件中,IRFI4229PBF有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
IRFI4229PBF International Rectifier ( Infineon ) 19 A, 250 V, 0.046 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 下载
IRFI4229PBF Infineon(英飞凌) MOSFET MOSFT 250V 19A 46mOhm 73nC 下载
IRFI4229PBF_15 International Rectifier ( Infineon ) Advanced Process Technology 下载
IRFI4229PBF的相关参数为:

器件描述

MOSFET MOSFT 250V 19A 46mOhm 73nC

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time15 weeks
雪崩能效等级(Eas)110 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)19 A
最大漏极电流 (ID)19 A
最大漏源导通电阻0.046 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)46 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)72 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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