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IRF7451TR

eeworld网站中关于IRF7451TR有4个元器件。有IRF7451TR、IRF7451TR等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
IRF7451TR International Rectifier ( Infineon ) mosfet N-CH 150v 3.6A 8-soic 下载
IRF7451TR Infineon(英飞凌) MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-SOIC 下载
IRF7451TRPBF International Rectifier ( Infineon ) 3.6 A, 150 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA 下载
IRF7451TRPBF Infineon(英飞凌) MOSFET MOSFT 150V 3.6A 90mOhm 28nC 下载
关于IRF7451TR相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
IRF7451TR 、 IRF7451TR 下载文档
IRF7451TRPBF 下载文档
IRF7451TRPBF 下载文档
IRF7451TR资料比对:
型号 IRF7451TR IRF7451TR
描述 MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-SOIC mosfet N-CH 150v 3.6A 8-soic
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) International Rectifier ( Infineon )
包装说明 SO-8 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code compliant unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 210 mJ 210 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 150 V 150 V
最大漏极电流 (ID) 3.6 A 3.6 A
最大漏源导通电阻 0.09 Ω 0.09 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 MS-012AA MS-012AA
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e3 e0
元件数量 1 1
端子数量 8 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 28 A 28 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) TIN LEAD
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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