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IRF720STRPBF

eeworld网站中关于IRF720STRPBF有9个元器件。有IRF720STRL、IRF720STRL等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
IRF720STRL Vishay(威世) MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK 下载
IRF720STRL International Rectifier ( Infineon ) Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, SMD-220, 3 PIN 下载
IRF720STRLPBF Vishay(威世) MOSFET N-Chan 400V 3.3 Amp 下载
IRF720STRLPBF International Rectifier ( Infineon ) Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, SMD-220, D2PAK-3 下载
IRF720STRR International Rectifier ( Infineon ) hexfet 下载
IRF720STRR Vishay(威世) mosfet N-CH 400v 3.3A d2pak 下载
IRF720STRRPBF Vishay(威世) MOSFET N-Chan 400V 3.3 Amp 下载
IRF720STRRPBF International Rectifier ( Infineon ) Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, SMD-220, D2PAK-3 下载
IRF720STRRPBFA Vishay(威世) Power MOSFET 下载
关于IRF720STRPBF相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
IRF720STRL 、 IRF720STRR 下载文档
IRF720STRLPBF 、 IRF720STRRPBF 下载文档
IRF720STRRPBF 下载文档
IRF720STRR 下载文档
IRF720STRLPBF 下载文档
IRF720STRL 下载文档
IRF720STRPBF资料比对:
型号 IRF720STRLPBF IRF720STRRPBF
描述 Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, SMD-220, D2PAK-3 Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, SMD-220, D2PAK-3
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant
其他特性 AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas) 190 mJ 190 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 400 V 400 V
最大漏极电流 (ID) 3.3 A 3.3 A
最大漏源导通电阻 1.8 Ω 1.8 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 13 A 13 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 MATTE TIN OVER NICKEL MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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