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IRF5N4905

eeworld网站中关于IRF5N4905有5个元器件。有IRF5N4905、IRF5N4905等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
IRF5N4905 Infineon(英飞凌) Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 55V, 0.024ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD-1, 3 PIN 下载
IRF5N4905 International Rectifier ( Infineon ) 55 A, 55 V, 0.024 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET 下载
IRF5N4905_15 International Rectifier ( Infineon ) Avalanche Energy Ratings 下载
IRF5N4905PBF Infineon(英飞凌) Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 55V, 0.024ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD-1, 3 PIN 下载
IRF5N4905PBF International Rectifier ( Infineon ) Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 55V, 0.024ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD-1, 3 PIN 下载
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IRF5N4905资料比对:
型号 IRF5N4905PBF IRF5N4905 IRF5N4905 IRF5N4905PBF
描述 Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 55V, 0.024ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD-1, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 55V, 0.024ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD-1, 3 PIN 55 A, 55 V, 0.024 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 55V, 0.024ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD-1, 3 PIN
包装说明 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 HERMETIC SEALED, SMD-1, 3 PIN CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
Reach Compliance Code compliant unknown unknown compliant
雪崩能效等级(Eas) 330 mJ 330 mJ 330 mJ 330 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 55 V 55 V 55 V 55 V
最大漏极电流 (ID) 55 A 55 A 55 A 55 A
最大漏源导通电阻 0.024 Ω 0.024 Ω 0.024 Ω 0.024 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3 R-CBCC-N3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 220 A 220 A 220 A 220 A
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 40 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1 1
是否Rohs认证 符合 不符合 - 符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) Infineon(英飞凌) International Rectifier ( Infineon ) -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
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