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IRF2807ZSTRR

在4个相关元器件中,IRF2807ZSTRR有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
IRF2807ZSTRR International Rectifier ( Infineon ) Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0094ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-3 下载
IRF2807ZSTRR Vishay(威世) MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK 下载
IRF2807ZSTRRPBF International Rectifier ( Infineon ) Advanced Process Technology 下载
IRF2807ZSTRRPBF Infineon(英飞凌) MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 9.4mOhms 71nC 下载
IRF2807ZSTRR的相关参数为:

器件描述

MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

参数
参数名称属性值
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)75V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)75A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)9.4 毫欧 @ 53A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)110nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)3270pF @ 25V
功率耗散(最大值)170W(Tc)
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装
供应商器件封装D2PAK
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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