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IPW65R190C6FKSA1

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器件名 厂商 描 述 功能
IPW65R190C6FKSA1 Infineon(英飞凌) MOSFET HIGH POWER_LEGACY 下载
IPW65R190C6FKSA1的相关参数为:

器件描述

MOSFET HIGH POWER_LEGACY

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-247
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time1 week
Is SamacsysN
雪崩能效等级(Eas)485 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压650 V
最大漏源导通电阻0.19 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-247
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)66 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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