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IPW60R075

在6个相关元器件中,IPW60R075有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
IPW60R075CP Infineon(英飞凌) MOSFET N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP 下载
IPW60R075CP ISC N-Channel MOSFET Transistor 下载
IPW60R075CPA Infineon(英飞凌) 39 A, 600 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 下载
IPW60R075CPAFKSA1 Infineon(英飞凌) MOSFET AUTOMOTIVE 下载
IPW60R075CPFKSA1 Infineon(英飞凌) MOSFET N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS C6 下载
IPW60R075CPXK Infineon(英飞凌) Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 600V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 下载
IPW60R075的相关参数为:

器件描述

MOSFET N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-247
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
雪崩能效等级(Eas)1150 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)39 A
最大漏极电流 (ID)39 A
最大漏源导通电阻0.075 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-247
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)313 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)130 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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