器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
IPW60R075CP | Infineon(英飞凌) | MOSFET N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP | 下载 |
IPW60R075CP | ISC | N-Channel MOSFET Transistor | 下载 |
IPW60R075CPA | Infineon(英飞凌) | 39 A, 600 V, 0.075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | 下载 |
IPW60R075CPAFKSA1 | Infineon(英飞凌) | MOSFET AUTOMOTIVE | 下载 |
IPW60R075CPFKSA1 | Infineon(英飞凌) | MOSFET N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS C6 | 下载 |
IPW60R075CPXK | Infineon(英飞凌) | Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 600V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 | 下载 |
MOSFET N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
零件包装代码 | TO-247 |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compliant |
雪崩能效等级(Eas) | 1150 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 600 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 39 A |
最大漏极电流 (ID) | 39 A |
最大漏源导通电阻 | 0.075 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-247 |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 313 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 130 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
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