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IPW60R070C2

在6个相关元器件中,IPW60R070C2有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
IPW60R070C6 Infineon(英飞凌) 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):53A(Tc) 栅源极阈值电压:3.5V @ 1.72mA 漏源导通电阻:70mΩ @ 25.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):391W(Tc) 类型:N沟道 下载
IPW60R070C6 ISC N-Channel MOSFET Transistor 下载
IPW60R070C6FKSA1 Infineon(英飞凌) MOSFET N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS C6 下载
IPW60R070CFD7 ISC N-Channel MOSFET Transistor 下载
IPW60R070CFD7 Infineon(英飞凌) 600V CoolMOSª CFD7 Power Transistor 下载
IPW60R070CFD7XKSA1 Infineon(英飞凌) MOSFET N-CH 600V TO247-3 下载
IPW60R070C2的相关参数为:

器件描述

漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):53A(Tc) 栅源极阈值电压:3.5V @ 1.72mA 漏源导通电阻:70mΩ @ 25.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):391W(Tc) 类型:N沟道

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码TO-247AA
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
雪崩能效等级(Eas)1135 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)53 A
最大漏极电流 (ID)53 A
最大漏源导通电阻0.07 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-247AA
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)391 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)159 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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