| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| IPW60R070C6 | Infineon(英飞凌) | 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):53A(Tc) 栅源极阈值电压:3.5V @ 1.72mA 漏源导通电阻:70mΩ @ 25.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):391W(Tc) 类型:N沟道 | 下载 |
| IPW60R070C6 | ISC | N-Channel MOSFET Transistor | 下载 |
| IPW60R070C6FKSA1 | Infineon(英飞凌) | MOSFET N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS C6 | 下载 |
| IPW60R070CFD7 | ISC | N-Channel MOSFET Transistor | 下载 |
| IPW60R070CFD7 | Infineon(英飞凌) | 600V CoolMOSª CFD7 Power Transistor | 下载 |
| IPW60R070CFD7XKSA1 | Infineon(英飞凌) | MOSFET N-CH 600V TO247-3 | 下载 |
漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):53A(Tc) 栅源极阈值电压:3.5V @ 1.72mA 漏源导通电阻:70mΩ @ 25.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):391W(Tc) 类型:N沟道
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 零件包装代码 | TO-247AA |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 雪崩能效等级(Eas) | 1135 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 53 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 53 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.07 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-247AA |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 391 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 159 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
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