| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| IPL60R105P7AUMA1 | Infineon(英飞凌) | MOSFET N-CH 4VSON | 下载 |
MOSFET N-CH 4VSON
| 参数名称 | 属性值 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 33A(Tc) |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
| 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 105 毫欧 @ 10.5A,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 530µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 45nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1952pF @ 400V |
| 功率耗散(最大值) | 137W(Tc) |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | PG-VSON-4 |
| 封装/外壳 | 4-PowerTSFN |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved