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IPDD60R125G7XTMA1

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器件名 厂商 描 述 功能
IPDD60R125G7XTMA1 Infineon(英飞凌) MOSFET HIGH POWER_NEW 下载
IPDD60R125G7XTMA1的相关参数为:

器件描述

MOSFET HIGH POWER_NEW

参数
参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌)
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSDetails
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
PG-HDSOP-10
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage600 V
Id - Continuous Drain Current20 A
Rds On - Drain-Source Resistance125 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage3 V
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
Qg - Gate Charge27 nC
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
ConfigurationSingle
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
120 W
Channel ModeEnhancement
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
Reel
Fall Time5 ns
Rise Time5 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
1700
Typical Turn-Off Delay Time60 ns
Typical Turn-On Delay Time18 ns
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