器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
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IPD90P03P4-04 | Infineon(英飞凌) | MOSFET P-Ch -30V 90A DPAK-2 OptiMOS-P2 | 下载 |
IPD90P03P404ATMA1 | Infineon(英飞凌) | MOSFET P-Ch -30V 90A DPAK-2 OptiMOS-P2 | 下载 |
IPD90P03P404ATMA2 | Infineon(英飞凌) | Power Field-Effect Transistor, | 下载 |
IPD90P03P4L-04 | Infineon(英飞凌) | MOSFET P-Ch -30V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2 | 下载 |
IPD90P03P4L04ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):90A(Tc) 栅源极阈值电压:2V @ 253uA 漏源导通电阻:4.1mΩ @ 90A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):137W(Tc) 类型:P沟道 P沟道,30V,90A,4.1mΩ@10V | 下载 |
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IPD90P03P4-04 、 IPD90P03P4L-04 | 下载文档 |
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型号 | IPD90P03P4-04 | IPD90P03P4L-04 |
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描述 | MOSFET P-Ch -30V 90A DPAK-2 OptiMOS-P2 | MOSFET P-Ch -30V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2 |
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