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IPD50N04S4-08

在2个相关元器件中,IPD50N04S4-08有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
IPD50N04S4-08 Infineon(英飞凌) USB Connectors ON BOARD RCPT UNSHLD - USB TYPE C 下载
IPD50N04S408ATMA1 Infineon(英飞凌) MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2 下载
IPD50N04S4-08的相关参数为:

器件描述

USB Connectors ON BOARD RCPT UNSHLD - USB TYPE C

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-252
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
雪崩能效等级(Eas)55 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)50 A
最大漏极电流 (ID)50 A
最大漏源导通电阻0.0079 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)46 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)200 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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