电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
Datasheet >

IPD082N10N3

eeworld网站中关于IPD082N10N3有7个元器件。有IPD082N10N3、IPD082N10N3等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
IPD082N10N3 ISC N-Channel MOSFET Transistor 下载
IPD082N10N3 Inchange Semiconductor MOSFETs;80A;100V;DPAK/TO-252 下载
IPD082N10N3-G Infineon(英飞凌) MOSFET N-Ch 100V 80A DPAK-2 OptiMOS 3 下载
IPD082N10N3G Infineon(英飞凌) 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A 栅源极阈值电压:3.5V @ 75uA 漏源导通电阻:8.6mΩ @ 73A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):125W 类型:N沟道 N沟道,100V,80A,8.2mΩ@10V 下载
IPD082N10N3 G Infineon(英飞凌) mosfet N-channel mosfet 20-200v 下载
IPD082N10N3GATMA1 Infineon(英飞凌) MOSFET MV POWER MOS 下载
IPD082N10N3GBTMA1 Infineon(英飞凌) Audio D/A Converter ICs 24-Bit 192 kHz Stereo Audio DAC 下载
关于IPD082N10N3相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
IPD082N10N3-G 、 IPD082N10N3GBTMA1 下载文档
IPD082N10N3 G 、 IPD082N10N3G 下载文档
IPD082N10N3GATMA1 下载文档
IPD082N10N3 下载文档
IPD082N10N3资料比对:
型号 IPD082N10N3 G IPD082N10N3G
描述 mosfet N-channel mosfet 20-200v 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A 栅源极阈值电压:3.5V @ 75uA 漏源导通电阻:8.6mΩ @ 73A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):125W 类型:N沟道 N沟道,100V,80A,8.2mΩ@10V
小广播

技术资料推荐更多

论坛推荐更多

技术视频推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
搜索索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
器件入口   12 1C 32 6N 7E FW HT JL OZ R1 RO S2 YZ Z8 ZY

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved