| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| IPD082N10N3 | ISC | N-Channel MOSFET Transistor | 下载 |
| IPD082N10N3 | Inchange Semiconductor | MOSFETs;80A;100V;DPAK/TO-252 | 下载 |
| IPD082N10N3-G | Infineon(英飞凌) | MOSFET N-Ch 100V 80A DPAK-2 OptiMOS 3 | 下载 |
| IPD082N10N3G | Infineon(英飞凌) | 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A 栅源极阈值电压:3.5V @ 75uA 漏源导通电阻:8.6mΩ @ 73A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):125W 类型:N沟道 N沟道,100V,80A,8.2mΩ@10V | 下载 |
| IPD082N10N3 G | Infineon(英飞凌) | mosfet N-channel mosfet 20-200v | 下载 |
| IPD082N10N3GATMA1 | Infineon(英飞凌) | MOSFET MV POWER MOS | 下载 |
| IPD082N10N3GBTMA1 | Infineon(英飞凌) | Audio D/A Converter ICs 24-Bit 192 kHz Stereo Audio DAC | 下载 |
| 对应元器件 | pdf文档资料下载 |
|---|---|
| IPD082N10N3-G 、 IPD082N10N3GBTMA1 | 下载文档 |
| IPD082N10N3 G 、 IPD082N10N3G | 下载文档 |
| IPD082N10N3GATMA1 | 下载文档 |
| IPD082N10N3 | 下载文档 |
| 型号 | IPD082N10N3 G | IPD082N10N3G |
|---|---|---|
| 描述 | mosfet N-channel mosfet 20-200v | 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A 栅源极阈值电压:3.5V @ 75uA 漏源导通电阻:8.6mΩ @ 73A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):125W 类型:N沟道 N沟道,100V,80A,8.2mΩ@10V |
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