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IPB60R099CPAATMA1

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器件名 厂商 描 述 功能
IPB60R099CPAATMA1 Infineon(英飞凌) MOSFET N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA 下载
IPB60R099CPAATMA1的相关参数为:

器件描述

MOSFET N-Ch 600V 31A D2PAK-2 CoolMOS CPA

参数
参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码D2PAK
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codenot_compliant
Factory Lead Time18 weeks
雪崩能效等级(Eas)800 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (ID)31 A
最大漏源导通电阻0.105 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)93 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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