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IPB160N04S4LH1ATMA1

在1个相关元器件中,IPB160N04S4LH1ATMA1有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
IPB160N04S4LH1ATMA1 Infineon(英飞凌) MOSFET N-CHANNEL 30/40V 下载
IPB160N04S4LH1ATMA1的相关参数为:

器件描述

MOSFET N-CHANNEL 30/40V

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time14 weeks
雪崩能效等级(Eas)400 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压40 V
最大漏极电流 (ID)160 A
最大漏源导通电阻0.0015 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263
JESD-30 代码R-PSSO-G6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)640 A
参考标准AEC-Q101
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
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