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IPB017N10N5

在4个相关元器件中,IPB017N10N5有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
IPB017N10N5 Infineon(英飞凌) MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS 下载
IPB017N10N5ATMA1 Infineon(英飞凌) Switching Voltage Regulators 下载
IPB017N10N5LF Infineon(英飞凌) OptiMOSTM 5 Linear FET, 100 V 下载
IPB017N10N5LFATMA1 Infineon(英飞凌) MOSFET N-CH 100V D2PAK-7 下载
IPB017N10N5的相关参数为:

器件描述

MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6
Reach Compliance Codecompliant
雪崩能效等级(Eas)979 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)180 A
最大漏源导通电阻0.0017 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263
JESD-30 代码R-PSSO-G6
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)720 A
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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