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IDW75E60

在4个相关元器件中,IDW75E60有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
IDW75E60 Infineon(英飞凌) 反向恢复时间(trr):121ns 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):120A 正向压降(Vf):2V @ 75A 下载
IDW75E60_09 Infineon(英飞凌) 600 V EmCon technology 下载
IDW75E60_14 Infineon(英飞凌) Fast Switching Emitter Controlled Diode 下载
IDW75E60FKSA1 Infineon(英飞凌) DIODE GEN PURP 600V 120A TO247-3 下载
IDW75E60的相关参数为:

器件描述

反向恢复时间(trr):121ns 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):120A 正向压降(Vf):2V @ 75A

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性PD-CASE
应用FAST SOFT RECOVERY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)2 V
JEDEC-95代码TO-247
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流220 A
元件数量1
相数1
端子数量3
最高工作温度175 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流120 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散300 W
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向电流40 µA
最大反向恢复时间0.121 µs
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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