器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
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IDT7202LA50TP | IDT(艾迪悌) | 1K X 9 OTHER FIFO, 50 ns, PDIP28 | 下载 |
IDT7202LA50TP | IDT (Integrated Device Technology) | FIFO, 1KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28 | 下载 |
IDT7202LA50TPB | IDT(艾迪悌) | 512 X 9 OTHER FIFO, 20 ns, CDIP28 | 下载 |
IDT7202LA50TPB | IDT (Integrated Device Technology) | FIFO, 1KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, THIN, PLASTIC, DIP-28 | 下载 |
IDT7202LA50TPG | IDT (Integrated Device Technology) | FIFO, 1KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, GREEN, PLASTIC, DIP-28 | 下载 |
对应元器件 | pdf文档资料下载 |
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IDT7202LA50TP 、 IDT7202LA50TPB | 下载文档 |
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型号 | IDT7202LA50TP | IDT7202LA50TPB |
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描述 | 1K X 9 OTHER FIFO, 50 ns, PDIP28 | 512 X 9 OTHER FIFO, 20 ns, CDIP28 |
功能数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 28 | 28 |
最大工作温度 | 70 Cel | 125 Cel |
最小工作温度 | 0.0 Cel | -55 Cel |
最大供电/工作电压 | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电/工作电压 | 4.5 V | 4.5 V |
额定供电电压 | 5 V | 5 V |
最大存取时间 | 50 ns | 20 ns |
加工封装描述 | PLASTIC, DIP-28 | 0.600 INCH, 陶瓷, DIP-28 |
状态 | ACTIVE | ACTIVE |
工艺 | CMOS | CMOS |
包装形状 | RECTANGULAR | 矩形的 |
包装尺寸 | IN-LINE | IN-线 |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-孔 |
端子间距 | 2.54 mm | 2.54 mm |
端子涂层 | TIN LEAD | 锡 铅 |
端子位置 | DUAL | 双 |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY | 陶瓷, 玻璃-SEALED |
温度等级 | COMMERCIAL | MILITARY |
内存宽度 | 9 | 9 |
组织 | 1K X 9 | 512 × 9 |
存储密度 | 9216 deg | 4608 deg |
操作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
周期 | 65 ns | 30 ns |
内存IC类型 | OTHER FIFO | 其他先进先出 |
位数 | 1K | 512 |
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