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HMC832

eeworld网站中关于HMC832有11个元器件。有HMC832、HMC8325等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
HMC832 ADI(亚德诺半导体) Cellular infrastructure 下载
HMC8325 ADI(亚德诺半导体) 71 GHZ TO 86 GHZ, E - BAND LOW N 下载
HMC8325-SX ADI(亚德诺半导体) 射频放大器 E-Band Low Noise Amplifier 71 to 86 GHz 下载
HMC8326LG ADI(亚德诺半导体) E-BAND LOW NOISE DOWNCONVERTER SIP 71 - 76 GHz 下载
HMC8327LG ADI(亚德诺半导体) E-BAND LOW NOISE DOWNCONVERTER SIP 81 - 86 GHz 下载
HMC832A ADI(亚德诺半导体) Fractional-N PLL with Integrated VCO 下载
HMC832ALP6GE ADI(亚德诺半导体) Fractional-N PLL with Integrated VCO 25 MHz to 3000 MHz 下载
HMC832ALP6GETR ADI(亚德诺半导体) WBAND RF PLL VCO, 25-3000MHZ 下载
HMC832LP6GE ADI(亚德诺半导体) Wideband PLL+VCO (3.3V), 25 - 3000 MHz 下载
HMC832LP6GE Hittite Microwave(ADI) IC pll fractional-N vco 46smd 下载
HMC832LP6GETR ADI(亚德诺半导体) Wideband PLL+VCO (3.3V), 25 - 3000 MHz 下载
关于HMC832相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
HMC832LP6GE 、 HMC832LP6GETR 下载文档
HMC832LP6GE 下载文档
HMC832ALP6GETR 下载文档
HMC832ALP6GE 下载文档
HMC8325-SX 下载文档
HMC8325 下载文档
HMC832资料比对:
型号 HMC832LP6GETR HMC832LP6GE
描述 Wideband PLL+VCO (3.3V), 25 - 3000 MHz Wideband PLL+VCO (3.3V), 25 - 3000 MHz
Brand Name Analog Devices Inc Analog Devices Inc
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 HVQCCN, HVQCCN,
针数 40 40
制造商包装代码 HCP-40-1 HCP-40-1
Reach Compliance Code compliant compliant
JESD-30 代码 S-PQCC-N40 S-PQCC-N40
JESD-609代码 e3 e3
长度 6 mm 6 mm
湿度敏感等级 1 1
功能数量 1 1
端子数量 40 40
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 HVQCCN HVQCCN
封装形状 SQUARE SQUARE
封装形式 CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
座面最大高度 0.9 mm 0.9 mm
标称供电电压 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES
电信集成电路类型 RF AND BASEBAND CIRCUIT RF AND BASEBAND CIRCUIT
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
宽度 6 mm 6 mm
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