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HMC646LP2E

在4个相关元器件中,HMC646LP2E有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
HMC646LP2E ADI(亚德诺半导体) 40W SPDT Failsafe Switch SMT, 0.1 - 2.1 GHz 下载
HMC646LP2E Hittite Microwave(ADI) SPDT, 100MHz Min, 2100MHz Max, 1 Func, 1.7dB Insertion Loss-Max, GAAS, 2 X 2 MM, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, PLASTIC, SMT, DFN-6 下载
HMC646LP2ETR ADI(亚德诺半导体) Board Mount Hall Effect / Magnetic Sensors 2.5 to 38V Hall Effect Sensor 下载
HMC646LP2ETR Hittite Microwave(ADI) SPDT, 2025MHz Max, 1 Func, 1.7dB Insertion Loss-Max, GAAS 下载
HMC646LP2E的相关参数为:

器件描述

SPDT, 100MHz Min, 2100MHz Max, 1 Func, 1.7dB Insertion Loss-Max, GAAS, 2 X 2 MM, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, PLASTIC, SMT, DFN-6

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明SOLCC6,.08,25
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
特性阻抗50 Ω
构造COMPONENT
最大输入功率 (CW)44 dBm
最大插入损耗1.7 dB
最小隔离度12 dB
JESD-609代码e3
安装特点SURFACE MOUNT
功能数量1
端子数量6
准时0.32 µs
最大工作频率2100 MHz
最小工作频率100 MHz
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装等效代码SOLCC6,.08,25
电源5 V
射频/微波设备类型SPDT
表面贴装YES
技术GAAS
端子面层Matte Tin (Sn)
Base Number Matches1
小广播

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